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                氮化鎵單卐晶基片

                • 產品名稱: 氮化鎵單晶基片
                • 產品分類: 氮化鎵單晶基片
                • 公司名稱: 山東色情男女裸交动态图材料科技有限公司
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                性能:

                氮化鎵作為第三代半導體,也被諾貝爾物理學獲獎者中村修二稱之為“終極襯底”,其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質,使得它成為迄今理論上≡電光、光電轉換效率最高的材料體系,並可以成為制備寬〇波譜、高功率、高效㊣ 率的微電子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。

                指標:

                2英寸直徑藍寶石襯底外延GaN厚膜

                厚度: 10~50μm(藍寶石襯底外延GaN)

                位錯密度:小於1×107 cm-2

                TTV:≦ 10 μm

                BOW:≦ 15 μm

                ?自支撐GaN單晶襯底

                厚度: 400.0μm ±30.0μm,300μm ±30.0  μm,

                位錯密度:小於5×106 cm-2

                TTV:≦ 10 μm

                BOW:≦ 15 μm

                粗糙度:Ra≤0.2 nm


                以上是關於氮化鎵單晶基片廠家,氮化鎵單☉晶基片價格,氮化鎵單晶基片供應,氮化鎵單晶基片生產商,氮化鎵單晶基片銷售的詳細介紹
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                山東色情男女裸交动态图材料科技有限公司
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